外媒:AMD也在做3D封装CPU 内存将通过硅通道连接
时间:2019-03-18 17:00 来源:网络信息收集 作者:系统部编辑
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按照外媒的报道,AMD正在努力将内存嵌入处处理惩罚器中的单一封装中,内存将通过硅通道连接。
据介绍,在很多规模,制造商已经在研究类似的技术,好比HBM2和NAND 3D垂直堆叠。然而,对付处理惩罚器而言,这是全新的。新技术不会使实际内存更快,但会使其在整体性能方面更有效。
早在2018年末的架构日上,英特尔公布了他们的Foveros 3D封装技术,答允芯片以新的方法堆叠在一起,缔造出一个完全3D的处理惩罚器。在2018年国际消费电子展上,英特尔还发布了该公司首款Foveros 3D处理惩罚器Lakefield。
英特尔的Lakefield CPU是英特尔首款“殽杂处理惩罚器”,搭载单个10nm Sunny Cove处理惩罚内核以及四个较小的10nm CPU内核。这种组合使英特尔能够在低功耗范畴内提供大量多线程性能,从而创建一个低功耗处理惩罚器。
英特尔的Lakefield处理惩罚器设计尺寸为12mm×12mm,超融合,3D封装,底层是I/O芯片,云计算,中间是CPU和GPU,处理惩罚器顶部是DRAM。
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